波音和通用实验室研发出GaNCMOS场效应晶体管

由美国波音公司和通用汽车公司享有的研发实验室-HRL实验室早已宣告其构建有序金属氧化物半导体（CMOS）FET技术的首次展出。该研究结果公开发表于2016年1月6日的inieee电子器件快报上。　　在此过程中，该实验室早已确认半导体的卓越晶体管性能可以在集成电路中加以利用。

这一突破为氮化镓沦为目前以硅为原材料的电源切换电路的最合适技术铺平了道路。　　氮化镓晶体管在电源开关和微波/毫米波应用于中有出众的展现出，但该潜力还并未用作集成功率切换。除非较慢转换GaN功率晶体管在电源电路中蓄意上升，否则芯片到芯片的宿主电感造成电压不平稳。HRL资深研究工程师、首席研究员楚榕明称之为。

　　楚和他在HRL微电子实验室的同事们解决了这一容许，研发出有GaNCMOS技术，可在同一硅片上构建增强型GaNNMOS和PMOS。楚回应，将电源开关及驱动电路构建在同一芯片上，是增加宿主电感的最后方法。　　目前，氮化镓晶体管被设计成雷达系统、蜂窝基站、计算机笔记本电源适配器的电源转换器。

在短期内，CMOSIC可应用于功率集成电路，需要使用更加小的外形尺寸，更加较低的成本构建更加高效的电力管理，能够在险恶的环境下工作。楚说道。从将来来看，CMOS具备普遍更换硅CMOS产品的潜力。

　　楚总结道，由于在生产P闸极晶体管和分数的N闸极晶体管的挑战，氮化镓CMOS集成电路曾被指出是艰难或不有可能的。但我们最近的工作修筑了制取氮化镓CMOS集成电路的可能性。

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